Підручник Фізика 8 клас - Т.М. Засєкіна - Оріон 2017 рік

ЛАБОРАТОРНИЙ ПРАКТИКУМ № 6

Визначення залежності опору від освітленості для напівпровідникового фоторезистора і фотодіода

Мета роботи дослідити залежність опору напівпровідникового фоторезистора і фотодіода від освітленості.

Обладнання: фоторезистор; фотоелемент; амперметр; джерело струму; гальванометр; реостат; ліхтарик; з’єднувальні провідники. вказівки щодо виконання роботи

1. Складіть установку: фоторезистор увімкніть у коло джерела постійного струму напругою близько 4 В послідовно з амперметром.

2. Відмітьте початкову силу струму. Цей струм називають темновим; сила цього струму залежить від електричного опору фоторезистора і від прикладеної до нього напруги.

3. Увімкніть ліхтарик і, повільно наближаючи й віддаляючи його від фоторезистора, спостерігайте за змінами сили струму в колі. Зробіть висновок.

4. Не змінюючи освітлення, змініть полярність вмикання фоторезистора в коло. Зробіть висновок.

5. Під'єднайте до гальванометра затемнений (закритий від світла) фотоелемент. Змініть полярність підключення фотоелемента. За добре помітною зміною сили струму в колі зробіть висновок.

6. Зніміть затемнення з фотоелемента. При денному освітленні гальванометр буде показувати певну силу струму.

7. Розташуйте ліхтарик на відстані 1 м від фотоелемента. Увімкніть ліхтарик (спостерігається різке збільшення сили струму). Наближаючи та віддаляючи ліхтарик, переконайтеся, що сила струму залежить від інтенсивності освітлення (фотоелемент, що працює в такому режимі, називають фотодіодом).

8. Порівняйте залежності сили струму від інтенсивності освітлення для фоторезистора та фотодіода, зробіть висновок.


Відвідайте наш новий сайт - Матеріали для Нової української школи - планування, розробки уроків, дидактичні та методичні матеріали, підручники та зошити